汽车、光伏逆变和储能等领域凭借其卓越性能得到了广泛应用。为确保在这些高功率、扰环境中充分发挥SiC器件的优势，市场对门极驱动器提出了严苛要求，如大电流驱动能力、高抗干扰能力及高隔离耐压等。
数明推出的SiLM8260是一款集成了米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片，它精准地满足了上述严苛条件。SiLM8260具备10A的拉电流和灌电流能力，能够直接驱动SiC、IGBT等大功率器件，确保高效且稳定的运行。其米勒钳位功能尤为出色，能够有效抑制门极驱动因对管开关而引起的电压尖峰，从而避免上、下管直通问题，进一步增强了系统的稳定性和可靠性。
此外，SiL8260还展现了卓越的电气性能。它具备200kV/μs的CMTI性能，这意味着它能在扰环境下保持出色的信号完整性。同时，该驱动芯片能耐受5000VRMS的原副边隔离电压和1850VRMS的上下通道耐压，充分保证了其在各种恶劣工作环境下的稳定性和安全性。
在新能源汽车领域，SiC功率器件被广泛应用于车载充电器、直流充电桩等关键部件中。由于这些部件需要承受高电流和高电压的冲击，因此对门极驱动器提出了严苛的要求。数明半导体的SiLM8260驱动芯片凭借其大电流驱动能力和高抗干扰能力，能够确保SiC器件在充电过程中稳定高效地工作，从而提高充电效率和可靠性。
在光伏逆变领域，光伏逆变器是将太阳能转换为电能的关键设备。SiC功率器件因其高效率、高可靠性和低损耗等特点，在光伏逆变器中发挥着重要作用。然而，光伏逆变器常常工作在复杂多变的电磁环境中，因此要求门极驱动器具备出色的电气性能和抗干扰能力。SiLM8260驱动芯片以其高隔离耐压和卓越的CMTI性能，能够有效抵御电磁干扰，确保光伏逆变器的稳定运行。
在储能领域，储能变流器是连接储能系统与电网的重要设备。SiC功率器件的应用可以提高储能变流器的效率和可靠性，从而优化储能系统的性能。SiLM8260驱动芯片能够满足储能变流器对门极驱动器的高要求，确保其在各种工作条件下都能稳定工作。
除了新能源汽车、光伏逆变和储能领域，SiLM8260驱动芯片在服务器电源和工业电源等应用领域也展现出广泛的应用前景。服务器电源和工业电源需要承受高负载和长时间的稳定运行，对门极驱动器的性能要求同样严苛。SiLM8260以其卓越的性能和稳定性，能够满足这些应用领域的需求，为系统的稳定运行提供有力保障。
综上所述，数明半导体的SiLM8260驱动芯片以其出色的性能、稳定的驱动能力和强大的抗干扰能力，在新能源汽车、光伏逆变、储能、服务器电源和工业电源等领域具有广泛的适用性。它的推出将进一步促进SiC功率器件在这些领域的深入应用和发展，为行业的进步提供有力支持。
SiLM8260具备强大的10A源电流和灌电流能力，使其能够轻松直接驱动大功率的IGBT, SiC功率器件，确保系统在高负载条件下稳定运行，提升效率，减小功耗。
SiLM8260集成米勒钳位功能，有效抑制了门极驱动因对管开关而产生的电压尖峰，从而显著减少了上、下管直通的风险。同时，该功能还能有效防止功率器件在高dV/dt应用环境中发生误导通，极大地提升了系统的稳定性和可靠性。
SiLM8260的输入电压范围广泛，从3.5V到18V，适应不同电源环境下的应用需求，为系统提供更灵活的电源选择。
SiLM8260提供多种UVLO（欠压锁定）选项，包括12.5V、8.5V、5.5V和3.5V，可根据应用需求灵活选择，确保功率器件的安全运行。
SiLM8260具有超高的抗共模瞬态抑制能力，典型CMTI（共模瞬态免疫）高达200kV/µs，使其在扰环境下仍能保持出色的信号完整性，确保系统的稳定运行。支持SiC功率器件快速开、关切换的应用场景。
上下通道耐压达到1850VRMS，隔离耐压高达5000VRMS，保证了驱动器在各种恶劣工作环境下的稳定性和安全性。
SiLM8260的工作温度范围从-40°C到125°C，适用于各种极端工作环境，确保系统在各种条件下都能稳定工作。
SiLM8260支持死区可编程，可以通过DT脚对地电阻来改变死区的设置,从而避免在应用中上、下功率管的直通。
